演講題目：
Micro LED 微顯示技術(shù)研究進(jìn)展
演講概要:
基于氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體的Micro-LED材料與芯片及其在消費(fèi)電子、汽車車載顯示、VR/AR虛擬增強(qiáng)顯示等方面應(yīng)用受到學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界極大的關(guān)注。當(dāng)前Micro-LED顯示技術(shù)仍面臨巨量轉(zhuǎn)移精度與效率、紅光缺失、芯片效率Droop效應(yīng)等科學(xué)與技術(shù)難題。針對(duì)上述問(wèn)題，我們發(fā)展MOCVD生長(zhǎng)新技術(shù)，獲得了高質(zhì)量、弱極化場(chǎng)InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)橙紅長(zhǎng)波長(zhǎng)630nm的LED器件以及Micro-LED陣列，Droop效應(yīng)得到明顯抑制；設(shè)計(jì)并成功指標(biāo)量子點(diǎn)集成的RGB全色的混合結(jié)構(gòu)Micro-LED陣列；提出了基于二維MoS2材料TFT驅(qū)動(dòng)電路集成的超高分辨氮化鎵Micro-LED異質(zhì)集成芯片微顯示方案，實(shí)現(xiàn)高亮度微顯示器。上述研究結(jié)果為高效全彩顯示、高分辨透明顯示、可見(jiàn)光通訊等應(yīng)用提供了新技術(shù)路徑。